Este documento describe la estructura y funcionamiento del transistor bipolar de unión (BJT). Explica que el BJT fue inventado en los Laboratorios Bell en 1947 y consiste en tres capas semiconductoras dopadas de forma diferente: emisor, base y colector. La capa del emisor está fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector poco dopado. También define parámetros como la ganancia de corriente beta y el alfa, y explica cómo se polariza el BJT de forma que la unión base-emisor esté en directa y